收藏本站
NVD5117PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
1
0.1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
0.000001
Single Pulse
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
NVD5803NT4G MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
NVD5807NT4G MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
NVD5862NT4G MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
NVD5863NLT4G MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK-4
NVD5865NLT4G MOSFET N CH 60V DPAK-4
NVD5867NLT4G MOSFET N-CH 60V 18A DPAK-4
NVD5890NT4G MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
NVD6415ANLT4G MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
相关代理商/技术参数
NVD5413NT4G 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVD5414N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 24 Amps, 60 Volts Single Na??Channel
NVD5414NT4G 功能描述:MOSFET NFETDPAK 60V 24A 42.0MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVD5484NLT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET DPAK 60V - Cut TR (SOS) 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET DPAK 60V 54A 17MOHM - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET DPAK 60V 54A 17MOHM
NVD5490NLT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET DPAK 60V 17A 64MOHM - Cut TR (SOS) 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET DPAK 60V 17A 64MOHM - Tape and Reel
NVD5802N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, Single Na??Channel, 101 A DPAK
NVD5802NT4G 功能描述:MOSFET DPAK 3W SMT PBF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NVD5803N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 85 A, Single N−Channel, DPAK